mosfet的特性曲線包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。
nmos場效應(yīng)管的輸出特性同npn晶體管的輸出伏安特性曲線類似，只是參變量為柵-源電壓ugs。n溝道增強(qiáng)型mos的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如圖1所示。
(a)轉(zhuǎn)移特性曲線
(b)輸出特性曲線
圖1 n溝道增強(qiáng)型mos的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線
由圖1(a)可知，當(dāng)ugs<ugs（th）時，導(dǎo)電溝道不存在，沒有漏極電流id=0；當(dāng)ugs> ugs（th）時，才會有漏極電流。將ugs（th）稱為開啟電壓。輸出特性曲線分成四個區(qū)域：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)、截止區(qū)。
1、可變電阻區(qū)
當(dāng)ugs> ugs（th），且uds<ugs- ugs（th）時，管子處于可變電阻區(qū)。隨著ugs的增加，id增加，此時管子就像一個電阻，改變ugs，曲線斜率將發(fā)生變化，等效于輸出電阻變化，故稱可變電阻區(qū)。
2、截止區(qū)
當(dāng)ugs< ugs（th）時，管子處于截止區(qū)。id=0，相當(dāng)于管子開路。
3、恒流區(qū)
當(dāng)ugs> ugs（th），且uds> ugs- ugs（th）時，管子處于恒流區(qū)。在該區(qū)域，uds變化，id基本上保持不變。
4、擊穿區(qū)
當(dāng)uds>uds（br）時，將會使漏區(qū)與襯底的pn結(jié)反向擊穿，進(jìn)入擊穿區(qū)使mosfet損壞。
耗盡型mosfet由于具有原始導(dǎo)電溝道，所以ugs=0時漏極電流已經(jīng)存在，用idss表示，稱為飽和電流。n溝道耗盡型mos管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如圖2所示。
(a)轉(zhuǎn)移特性曲線
(b)輸出特性曲線
圖2 n溝道耗盡型mos管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線
由圖2(a)可見，無論柵-源電壓ugs是正是負(fù)還是零，都能控制電流id，這個特點(diǎn)使其應(yīng)用有更大的靈活性。與增強(qiáng)型mosfet一樣，耗盡型也有n溝道和p溝道之分。無論哪種類型mosfet，使用時必須注意所加電壓的極性。
增強(qiáng)型和耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管的主要區(qū)別在于是否有原始導(dǎo)電溝道。所以，如果要判別一個沒有型號的mosfet是增強(qiáng)型還是耗盡型，只要檢查它在零柵壓下，給漏、源極間加電壓時是否能導(dǎo)通，就可以作出判別。