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數(shù)字電橋選擇時應(yīng)該關(guān)注哪些

發(fā)布時間:2024-09-07
在選擇lcr數(shù)字電橋有何作用所講介紹中,讓大家了解了一些不為人知的問題或知識,但對蘇州騰斯凱電子科技有限公司所在的這個行業(yè)大家還是比較陌生的,今天我們就來了解一下:
一般地,lcr數(shù)字電橋用于三個方面的目的:
一方面:精確評價元件的性能,保證元件在使用條件下滿足要求。
為對元件作出精確的評價,需要儀器能提供高準確度、強大的功能,能對元件與多種條件的相關(guān)性作出準確的評價。如新元件的研究與開發(fā),計量檢定部門作檢測、量值傳遞等。
第二方面:元件生產(chǎn)線快速檢測或進貨檢驗
這種目的對于儀器的測量條件是特定的。如提供快速的分選以提高效率,特定的頻率、電平及其它一些所需要的功能等。
第三方面:需了解元件的一般性能lcr,選擇lcr數(shù)字電橋有何作用且無快速的分選要求。
lcr 數(shù)字電橋型號的劃分也基本按照這三種要求決定。
您可能會喜歡:
1.精確的陶瓷電容測量
1khz和1mhz是陶瓷材料和電容器的主要測試頻率。陶瓷電容器具有低損耗值的特征,同時其容量、損耗施加之交流信號會產(chǎn)生明顯的變化。儀器具有寬頻測試能力并可提供良好的準確度,六位分辨率和自動電平控制(alc)功能等,中以滿足陶瓷材料和電容器可靠、準確的測試需要。
2.液晶單元的電容特性測量
電容-電壓(c-vac)特性是評價液晶材料性能的主要方法,常規(guī)儀器測量液晶單元的c-vac特性遇到一個問題是大測試電壓不夠。使用擴展測量選件可提供分辨率為1%及高達20vms的可編程測試信號電平,使它能在條件下進行液晶材料的電容特性測量。
3.半導(dǎo)體材料和元件的測量
進行mos型半導(dǎo)體制造工藝評價時,需要氧化層電容和襯底雜質(zhì)密度這些參數(shù),這些可從c-vdc特性的測量結(jié)果推導(dǎo)出來。通過提供的直流源,結(jié)合各種掃描功能,可以方便地完成c-vdc特性的測量。為了測試晶圓上的半導(dǎo)體器件,需要延伸電纜和探頭,儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至小。
4.各種二極管、三極管、mos管的分布電容也是本儀器的測試內(nèi)容。
從上面我們可以看出lcr數(shù)字電橋的適用范圍相當廣泛,lcr數(shù)字電橋使用內(nèi)部/外部直流偏置,結(jié)合各種掃描測試功能,可以精確地分析磁性材料、電感器件的性能。值得一提的是如今的數(shù)字電橋多參數(shù)同時顯示可滿足復(fù)雜元件各種分布參數(shù)的全面觀察與評估要求,而不必反復(fù)切換測量參數(shù)!
通過本文的介紹,相信大家對于“選擇lcr數(shù)字電橋有何作用”有了一定的了解,如果想了解、lcr數(shù)字電橋廠家、蘇州騰斯凱電子科技有限公司等其他相關(guān)的知識,請跟我們聯(lián)系!
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