1. 輸出特性曲線
恒流區(qū)：(又稱飽和區(qū)或放大區(qū)）
特點: (1)受控性：輸入電壓vgs控制輸出電流id。
(2)恒流性：輸出電流id 基本不受輸出電壓vds的影響。
用途: 可做放大器和恒流源
條件: (1)源端溝道未夾斷
(2)漏端溝道予夾斷
可變電阻區(qū)：
特點:（1）當(dāng)vgs 為定值時, id 是 vds 的線性函數(shù)，管子的漏源間呈現(xiàn)為線性電阻，其阻值受 vgs 控制。
（2）管壓降vds 很小。
用途：做壓控線性電阻和無觸點的、接通狀態(tài)的電子開關(guān)。
條件：源端與漏端溝道都不夾斷
夾斷區(qū)：
特點：
用途：做無觸點的、斷開狀態(tài)的電子開關(guān)。
條件：整個溝道都夾斷
擊穿區(qū)：
當(dāng)漏源電壓增大 時，漏端pn結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，使id 劇增的區(qū)域。其值一般為（20~ 50）v之間。管子不能在擊穿區(qū)工作。
2. 轉(zhuǎn)移特性
輸入電壓vgs對輸出漏極電流id的控制
可在曲線上求gm ：
結(jié)型場效應(yīng)管的特性小結(jié)
3. 主要參數(shù)
① 夾斷電壓vp (或vgs(off))：漏極電流約為零時的vgs值 。
② 飽和漏極電流idss：當(dāng)vgs=0，vds> |vp|時對應(yīng)的漏極電流。
③ 低頻跨導(dǎo)gm：低頻跨導(dǎo)反映了vgs對id的控制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得，單位是ms(毫西門子)。
或
④直流輸入電阻rgs：在漏源間短路的情況下，柵源間加一定的反偏電壓時的柵源直流電阻。在手冊上又稱柵源絕緣電阻。
⑤輸出電阻rd： 反映了漏源電壓對漏極電流的影響。 id隨vds改變很小，所以rd的數(shù)值很大，在幾十千歐到幾百千歐之間。
⑥ 最大漏源電壓v(br)ds ：柵漏間pn結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，id開始急劇上升時的vds值。
⑦ 最大柵源電壓v(br)gs ：柵源間pn結(jié)的反向電流開始急劇增加時的vgs值。
⑧ 最大耗散功耗pdm ：pdm＝vdsid
金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)管
金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal oxide semiconductor fet) ——mosfet，又稱絕緣柵場效應(yīng)管，簡稱mos管。
分為： 增強型 ® n溝道、p溝道
耗盡型 ® n溝道、p溝道
耗盡型: vgs=0時，存在導(dǎo)電溝道，
增強型: vgs=0時，存在導(dǎo)電溝道