1，菜鳥問個關于固態(tài)硬盤和內存做緩存的區(qū)別2，求教 固態(tài)硬盤和內存條的區(qū)別3，ssd固態(tài)硬盤 與 內存盤的區(qū)別4，內存和固態(tài)硬盤技術上一樣和不一樣的地方在哪里5，固態(tài)硬盤的速度和內存條的速度差距多少1，菜鳥問個關于固態(tài)硬盤和內存做緩存的區(qū)別
現(xiàn)在的m2.固態(tài) 讀寫和io都已經(jīng)很接近內存的預算夠的話沒有必要糾結區(qū)別如果是sata ssd 那么讀寫和io上還是沒有內存盤高的主要區(qū)別就這里把內存盤斷電數(shù)據(jù)丟失 固態(tài)盤斷電不影響數(shù)據(jù)搜一下：菜鳥，問個關于固態(tài)硬盤和內存做緩存的區(qū)別
2，求教 固態(tài)硬盤和內存條的區(qū)別
固態(tài)硬盤屬于硬盤，是用來存儲東西的。而內存條是用來交換數(shù)據(jù)的。完全兩個性質。當你運行程序時，這個程序就放在了硬盤上，運行時是經(jīng)過內存數(shù)據(jù)交換才打開的。明白了吧。望采納。內存條，是ram，是隨機存儲器，速度極快，但關機后數(shù)據(jù)全部丟失。 固態(tài)硬盤，材質是使用了flashrom，速度沒內存快，但關機后數(shù)據(jù)不丟失。是速度和存儲功能介于內存與硬盤之間的東西。 互相不能代替。
3，ssd固態(tài)硬盤 與 內存盤的區(qū)別
固態(tài)硬盤是沒有轉速的，機械硬盤才有轉速這個慨念。正常情況下固態(tài)比機械硬盤運行速度快，但是用固態(tài)硬盤時有進行4k對齊，才能充分發(fā)揮固態(tài)硬盤的作用。ssd固態(tài)硬盤比傳統(tǒng)的機械硬盤的讀寫速度更快 建議購買三星840evo呢不一樣，系統(tǒng)軟件安裝一般安裝在固態(tài)盤上。你用軟件測試了你的現(xiàn)在的硬盤速度能達到600嗎？測了看看你就知道需不需要換了。
4，內存和固態(tài)硬盤技術上一樣和不一樣的地方在哪里
電腦的內存和固態(tài)硬盤里的閃存，都屬于內存，分別是兩類，內存是ram，固態(tài)硬盤是rom，確切地講是flashrom。內存速度快，但關機后所有信息會丟失；固態(tài)硬盤里的閃存速度慢，但關機后信息不消失。內存一般采用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（ram），只讀存儲器（rom） ，以及高速緩存（cache）。隨機存儲器（ram），就是人們常說的內存，既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當機器電源關閉時，存于其中的數(shù)據(jù)就會丟失。內存條（simm）就是將ram集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少ram集成塊占用的空間。目前市場上常見的內存條有1g/條，2g/條，4g/條等。只讀存儲器（rom），在制造rom的時候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器停電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失。u盤和固態(tài)盤使用的都是rom中的一種，flashrom，簡單理解就是能寫入的rom，是一種特殊的rom。內存是易失性存儲器，一旦電源被切斷，內存中的數(shù)據(jù)將全部丟失。而硬盤中的數(shù)據(jù)需要長期保存，即使電源中斷數(shù)據(jù)也不能丟失，更類似于u盤，因此二者的差別還是很大的。二者除了都使用電子元件來存儲數(shù)據(jù)外，幾乎沒有共同點（機械硬盤使用磁盤來存儲數(shù)據(jù)，磁盤算不上是電子元件）。內存和固態(tài)硬盤的區(qū)別太多了，拿主要的說下吧。1. 內存顆粒使用的ram，也就是隨機存儲器，這種存儲器的優(yōu)點是讀寫速度快，但缺點是掉電后所保留的數(shù)據(jù)會丟失，而固態(tài)硬盤是用的flash存儲器，讀寫速度無ram快，但掉電后數(shù)據(jù)不丟失，且可以保留10年。2. 內存的數(shù)據(jù)總線是并行接口，而固態(tài)硬盤則為sata串口接口3. 內存使用的工作電壓較低，象現(xiàn)在的ddr3內存使用電壓為1.35v，未來的ddr4據(jù)說是1.05v，而固態(tài)硬盤使用的工作電壓為5v。
5，固態(tài)硬盤的速度和內存條的速度差距多少
內存的基本構架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲芯片是非易失性存儲介質（nvram），也就是沒有電源后內部存儲的數(shù)據(jù)不會丟失。nand型閃存為例，它的隨機存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對區(qū)塊進行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡稱ddr，由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標準。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠小于rambus的價格，因為制造普通sdram的設備只需稍作改進就能進行ddr內存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內存發(fā)展的一個方向。內存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會丟失而內存的數(shù)據(jù)就會消失。而且底層構架不同也就決定了存儲速率的差別。ps：在百度上找不到關于內存底層構架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。我的內存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測試軟件測，你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內存條做的，其實速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別，傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸， 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應該就是沒有個 瓶頸所以有優(yōu)勢，但是現(xiàn)在內存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存， 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤，容量又小又貴d不要內存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -基本差不多d不要內存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -