韓國科學技術研究院發(fā)布消息稱，該院聯(lián)合延世大學利用二維二硒化鎢納米單芯片和一維氧化鋅氧化物半導體納米線的混合維空間雙層結構，開發(fā)了可以感知從紫外線到近紅外線光的光電二極管器件。該研究結果發(fā)表在學術雜志《*功能材料》(advanced functional materials)上。
低維空間納米半導體元件在下一代半導體中有廣泛應用前景，是研發(fā)重點領域。研究組使用的二維元件具有光回應性能強、洞遷移率高的特性，是p型半導體元件。一維氧化鋅納米線是目前好的一維納米半導體之一，具有電子遷移率高的特性，有望應用于高性能電子元件n型半導體元件。將一維二維混合后形成了混合維空間雙層結構(pn型)，研制出光電二極管元件。
研究組表示，該研究成功實現了二維圖像，今后有望廣泛應用于新一代圖像傳感器元件。
編輯點評
近年來，隨著科技發(fā)展進步，國內外科學研究領域取得了豐富的研究碩果。韓國科學技術研究院利用二維二硒化鎢納米單芯片和一維氧化鋅氧化物半導體納米線的混合維空間雙層結構，成功開發(fā)出可以感知從紫外線到近紅外線光的光電二極管器件，實現了二維圖像，將得到廣泛應用。
(原標題：韓國開發(fā)出下一代納米半導體圖像傳感器)