5月6日消息，ibm宣布造出了第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。
核心指標方面，ibm稱該2nm芯片的晶體管密度(mtr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21mtr/mm2要高。
換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管。
同時，ibm表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。
實際上，ibm此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的廠商，在電壓等指標的定義上很早就拿下主導(dǎo)權(quán)。
回到此次的2nm上，采用的是gaa(環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù)，三層。ibm介紹，這是第一次使用底介電隔離通道，它可以實現(xiàn)12nm的柵長，其內(nèi)部間隔是第二代干法設(shè)計，有助于納米片的開發(fā)。這也是第一次使用euv曝光feol部分過程。
需要注意的是，ibm并沒有自己的晶圓廠，2014年其制造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協(xié)議，另外，ibm也和三星、intel保持合作。
關(guān)于gaa晶體管技術(shù)，三星3nm、intel 5nm以及臺積電2nm均將首次采用。
原標題：里程碑！ibm宣布造出首顆2nm euv芯片