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東芝開發(fā)高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片

發(fā)布時間:2024-05-05
日本東芝綜合研究所開發(fā)出了組裝超大規(guī)模集成電路所*的高性能陶瓷片——氮化鋁陶瓷基片,其導(dǎo)熱性能可提高50%以上,能地逸散大型元件如大規(guī)模集成電路的熱量。氮化鋁原料為粉末,在陶瓷燒結(jié)時很困難,需加1~7%的氧化釔作助溶劑;燒結(jié)后,再在石墨容器中進(jìn)行處理。因石墨的碳原子起還原作用,可清除釔——鋁氧化物雜質(zhì),而形成氮化鋁陶瓷。制成氮化鋁陶瓷基片后,可用在不需要散熱片的特殊結(jié)構(gòu)上,并在電子器件小型化和降低成本方面發(fā)揮重要作用。
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