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mlc顆粒的固態(tài)硬盤推薦,大家mlc的固態(tài)哪個(gè)型號(hào)好

發(fā)布時(shí)間:2024-05-03
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2,求大神推薦一款價(jià)格400左右mlc顆粒的速度快質(zhì)量好的固態(tài)硬盤容 東芝q300 120g固態(tài) ¥359 速度快質(zhì)量也不錯(cuò) 性價(jià)比高 性能追500 600檔的固態(tài)東芝q300 240g ssd規(guī)格參數(shù)型號(hào) q300系列 尺寸 2.5英寸容量 120gb 接口類型 sata 6gb/秒 外形尺寸 100.0mm x 69.85mm x 7.0mm 主控 東芝tc58nc1000gsb 閃存 東芝原廠 toggle ddr2 2.0 etlc緩存 南亞ddr3高速緩存芯片 讀寫 讀取:高達(dá)550mb/s寫入:高達(dá)520mb/s 售后 三年保修可以看到120g 的飛天系列都是mlc ,,,不過(guò)選硬盤也不能只看顆粒,雖然這個(gè)很重要,,不過(guò)這個(gè)價(jià)格可以入 試試
3,我想買mlc的固態(tài)硬盤買什么好 本人剛買m6sslc的最好,價(jià)錢貴,壽命長(zhǎng),mlc的中等,價(jià)格平民,壽命不長(zhǎng)不短,tlc的差,價(jià)格便宜,壽命短。固態(tài)壽命短的也可以用幾年,當(dāng)然,多少年就看怎么用法了,因?yàn)楣虘B(tài)的壽命是和擦寫次數(shù)有關(guān)的。其實(shí)也在糾結(jié)這個(gè)問(wèn)題。。。不過(guò)我的是筆記本,雖然有兩個(gè)硬盤位但是不能組raid0。。。不過(guò)按目前來(lái)看我建議你先組raid0,最近ssd都在漲價(jià)。。而且30g的ssd性能大打折扣。。等80-120g的ssd價(jià)格降下來(lái)之后再上,然后再把多出來(lái)的硬盤拿出來(lái)做移動(dòng)硬盤用。。滿意請(qǐng)采納。我就是tlc.好用穩(wěn)定,別學(xué)跟風(fēng)狗,人云亦云。不管選擇什么,品牌非常重要浦科特m6p出來(lái)啦,530也不錯(cuò)浦科特m6p出來(lái)啦,530也不錯(cuò),都是質(zhì)保五年的呢
4,目前有哪些nvme協(xié)議的mlc顆粒固態(tài)硬盤 零售的好像只有三喪的970pro是mlc,價(jià)格是tlc的一倍的樣子,然后就是企業(yè)級(jí)的里面有u2的,不過(guò)價(jià)格更高。然后就是sm9xx系列了,sm開(kāi)頭的對(duì)應(yīng)零售版pro。pm開(kāi)頭的是對(duì)應(yīng)evo的。因?yàn)閠lc顆粒成本較低,許多主流固態(tài)硬盤都生產(chǎn)tlc的固態(tài)硬盤。而比起mlc的固態(tài),tlc價(jià)格上也有一定優(yōu)勢(shì)。我查了一下,tlc顆粒理論壽命為1000pe,用戶擔(dān)心tlc壽命短,很多人不敢買,甚至認(rèn)為在讀寫次數(shù)上mlc更“長(zhǎng)壽”。更有人黑tlc是一用就壞什么的,其實(shí)這些都是誤解為了終結(jié)這個(gè)留言。中關(guān)村進(jìn)行了一項(xiàng)長(zhǎng)達(dá)3個(gè)月的試驗(yàn),測(cè)試的就是tlc的耐久度。到第四階段為止已經(jīng)寫入200tb數(shù)據(jù),牛逼吧→_→在測(cè)試中所使用的所有ssd沒(méi)有出現(xiàn)任何質(zhì)量問(wèn)題。因?yàn)槲也皇亲鰪V告只是引用,所有就不給出傳送門了。就給出文章名字吧《tlc ssd耐久第四階段200tb寫入報(bào)告出爐》由此可見(jiàn),tlc在寫入次數(shù)上實(shí)際上并不低。我們一般的用戶根本無(wú)需考慮tlc顆粒固態(tài)硬盤壽命問(wèn)題,可以放心使用有一個(gè),就是wd/西部數(shù)據(jù) wd black nvme固態(tài)硬盤的順序讀寫速度分別高達(dá)3400mb每秒和2800mb每秒,可滿足游戲、視頻編輯、虛擬現(xiàn)實(shí)等需求。wd black nvme固態(tài)硬盤適合堅(jiān)強(qiáng)、冷酷、無(wú)畏的玩家,它集熾熱疾速與卓越性能于一身,因此制勝關(guān)鍵取決于內(nèi)部的巨大力量。 5,現(xiàn)在mlc顆粒的固態(tài)硬盤有哪些 基本上都是這種。就好比你再問(wèn),現(xiàn)在非曲屏手機(jī)有哪些?那不就忒好找了嗎?曲屏手機(jī)只有5粗?jǐn)n共6款手機(jī),剩余的海量手機(jī)都是非曲屏的手機(jī)。是一個(gè)意思。分為slc/mlc/tlc,而隨著晶圓物理極限的不斷迫近,固態(tài)硬盤上單體的存儲(chǔ)單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了,更加專業(yè)的術(shù)語(yǔ)表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達(dá)極限了,要想進(jìn)一步擴(kuò)大單die的可用容量,就必須在技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新。?晶圓物理容量已接近極限于是,3d nand技術(shù)也就應(yīng)運(yùn)而生了。在解釋3d nand之前,我們先得弄清楚2d nand是什么,以及“2d”和“3d”的真實(shí)含義。首先是2d nand,我們知道在數(shù)學(xué)和物理領(lǐng)域,2d/3d都是指的方向,都是指的坐標(biāo)軸,“2d”指的是平面上的長(zhǎng)和寬,而“3d”則是在“2d”基礎(chǔ)上,添加了一個(gè)垂直方向的“高”的概念。由此,2d nand真實(shí)的含義其實(shí)就是一種顆粒在單die內(nèi)部的排列方式,是按照傳統(tǒng)二維平面模式進(jìn)行排列閃存顆粒的。相對(duì)應(yīng)的,3d nand則是在二維平面基礎(chǔ)上,在垂直方向也進(jìn)行顆粒的排列,即將原本平面的堆疊方式,進(jìn)行了創(chuàng)新。利用新的技術(shù)(即3d nand技術(shù))使得顆粒能夠進(jìn)行立體式的堆疊,從而解決了由于晶圓物理極限而無(wú)法進(jìn)一步擴(kuò)大單die可用容量的限制,在同樣體積大小的情況下,極大的提升了閃存顆粒單die的容量體積,進(jìn)一步推動(dòng)了存儲(chǔ)顆??傮w容量的飆升。第一款:美光(micron)旗下品牌 英睿達(dá)(crucial) bx300系列 sata ssd第二款:建興(liteon) 睿速系列 t10 pcie/nvme ssd。第三款:金士頓(kingston) ms200系列 sata ssd第四款:金泰克(tigo)s520系列 sata ssd
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