一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復(fù)過程
在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內(nèi)，輸入為+vf，二極管導(dǎo)通，電路中有電流流通。
設(shè)vd為二極管正向壓降（硅管為0.7v左右），當(dāng)vf遠(yuǎn)大于vd時，vd可略去不計，則
在t1時，v1突然從+vf變?yōu)?vr。在理想情況下 ，二極管將立刻轉(zhuǎn)為截止，電路中應(yīng)只有很小的反向電流。但實際情況是，二極管并不立刻截止，而是先由正向的if變到一個很大的反向電流ir=vr／rl，這個電流維持一段時間ts后才開始逐漸下降，再經(jīng)過tt后 ，下降到一個很小的數(shù)值0.1ir，這時二極管才進人反向截止?fàn)顟B(tài)，如下圖所示。
通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程。其中ts稱為存儲時間，tt稱為渡越時間，tre=ts+tt稱為反向恢復(fù)時間。 由于反向恢復(fù)時間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。
二、產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因——電荷存儲效應(yīng)
產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓vf時，載流子不斷擴散而存儲的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時ｐ區(qū)空穴向ｎ區(qū)擴散，ｎ區(qū)電子向ｐ區(qū)擴散，這樣，不僅使勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲，在ｐ區(qū)內(nèi)存儲了電子，而在ｎ區(qū)內(nèi)存儲了空穴 ，它們都是非平衡少數(shù)載流于，如下圖所示。
空穴由ｐ區(qū)擴散到ｎ區(qū)后，并不是立即與ｎ區(qū)中的電子復(fù)合而消失，而是在一定的路程lp（擴散長度）內(nèi)，一方面繼續(xù)擴散，一方面與電子復(fù)合消失，這樣就會在lp范圍內(nèi)存儲一定數(shù)量的空穴，并建立起一定空穴濃度分布，靠近結(jié)邊緣的濃度最大，離結(jié)越遠(yuǎn)，濃度越小 。正向電流越大，存儲的空穴數(shù)目越多，濃度分布的梯度也越大。電子擴散到ｐ區(qū)的情況也類似，下圖為二極管中存儲電荷的分布。
我們把正向?qū)〞r，非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲效應(yīng)。
當(dāng)輸入電壓突然由+vf變?yōu)?vr時ｐ區(qū)存儲的電子和ｎ區(qū)存儲的空穴不會馬上消失，但它們將通過下列兩個途徑逐漸減少：① 在反向電場作用下，ｐ區(qū)電子被拉回ｎ區(qū)，ｎ區(qū)空穴被拉回ｐ區(qū)，形成反向漂移電流ir，如下圖所示；
②與多數(shù)載流子復(fù)合。
在這些存儲電荷消失之前，ｐｎ結(jié)仍處于正向偏置，即勢壘區(qū)仍然很窄，ｐｎ結(jié)的電阻仍很小，與rl相比可以忽略，所以此時反向電流ir=（vr＋vd）/rl。vd表示ｐｎ結(jié)兩端的正向壓降，一般 vr>>vd，即 ir＝vr／rl。在這段期間，ir基本上保持不變，主要由vr和rl所決定。經(jīng)過時間ts后ｐ區(qū)和ｎ區(qū)所存儲的電荷已顯著減小，勢壘區(qū)逐漸變寬，反向電流ir逐漸減小到正常反向飽和電流的數(shù)值，經(jīng)過時間tt，二極管轉(zhuǎn)為截止。
由上可知，二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程，實質(zhì)上由于電荷存儲效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時間就是存儲電荷消失所需要的時間。
二極管和一般開關(guān)的不同在于,“開”與“關(guān)”由所加電壓的極性決定, 而且“開”態(tài)有微小的壓降v f,“關(guān)”態(tài)有微小的電流i0。當(dāng)電壓由正向變?yōu)榉聪驎r, 電流并不立刻成為(- i0) , 而是在一段時間ts 內(nèi), 反向電流始終很大, 二極管并不關(guān)斷。
經(jīng)過ts后, 反向電流才逐漸變小, 再經(jīng)過tf 時間, 二極管的電流才成為(- i0) , ts 稱為儲存時間, tf 稱為下降時間。tr= ts+ tf 稱為反向恢復(fù)時間, 以上過程稱為反向恢復(fù)過程。這實際上是由電荷存儲效應(yīng)引起的, 反向恢復(fù)時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。該過程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開關(guān)作用。