密勒定理可以將雙端口網(wǎng)絡(luò)中的反饋阻抗進行單向化處理。密勒定理應(yīng)用于晶體管共射極高頻小信號模型時，可將三極管高頻模型中基極和集電極之間的高頻電容，或場效應(yīng)管共源極高頻模型中柵極和漏極之間的高頻電容實行單向化處理，從而簡化半導(dǎo)體器件的高頻小信號模型。
1．密勒定理
設(shè)是跨接在雙端口放大網(wǎng)絡(luò)中的一個反饋阻抗，如圖1(a)所示。密勒定理就是要解開輸入～輸出回路之間的耦合，將等效到輸入和輸出回路中， 如圖1(b)所示。
圖1(a)圖1(b)
設(shè)放大電路的放大倍數(shù)是，由圖1(a)得：
據(jù)式（1）和式（2），將單向化處理后，在輸入回路的的等效阻抗和輸出回路的等效阻抗分別為：
當放大倍數(shù)遠大于1時，。反饋阻抗的單向化過程就是密勒等效變換，或稱密勒定理。
2．雙極型晶體管的高頻等效模型
雙極型晶體管的混合π模型如圖2所示：
其中，是晶體管基區(qū)體電阻，小功率器件的值在幾十至幾百歐之間。是發(fā)射結(jié)電阻，與靜態(tài)工作點相關(guān)，。是發(fā)射結(jié)電容。
是集電區(qū)體電阻，其值很小常忽略，是集電結(jié)電阻，是集電結(jié)電容。
是跨導(dǎo)，表示電壓對電流的控制作用。忽略時，，因而。是發(fā)射區(qū)體電阻，其值很小，可以忽略，是集電結(jié)電阻。
阻值和通常很大，將它們開路后的簡化混合π模型如圖3所示。
設(shè)，應(yīng)用密勒定理將輸入輸出回路的反饋電容單向化處理后得圖(a)，其中，。當時，忽略電容的影響，模型可進一步簡化成圖(b)。
[例]已知晶體管2n2222a的工作點，，忽略的影響，集電極負載，試求其簡化混合π模型。
[解]晶體管的混合π模型如圖4(a)所示。其中，
，
發(fā)射結(jié)電容可由特征頻率推導(dǎo)，由，得：
由圖4(a)得，應(yīng)用密勒定理將反饋電容單向化處理，。忽略電容后的簡化混合 模型如圖4(b)所示。
3．場效應(yīng)晶體管的高頻模型
場效應(yīng)晶體管的高頻等效模型如圖5。
圖5
其等效參數(shù)的取值范圍如表1。
表1 場效應(yīng)晶體管高頻模型中的參數(shù)
由圖5得，。應(yīng)用miller定理將反饋電容單向化處理，，單向化后得圖6(a)。
當時，可以忽略的影響。一般情形下，和的阻值遠大于與外圍并接電阻，可近似開路，所以最終可得簡化高頻模型如圖6(b)。