定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流產(chǎn)生的功耗在元件發(fā)熱時，結(jié)溫tj為絕對最大額定值限定的溫度(tj＝150°c)時的功率。
計算方法
這里，pc、ta、△tx、px可以由各自測定時的設定值或測定結(jié)果直接得出，但是只有tj不能直接得出。因此，如下列出使用vbe的測試方法。
vbe測定法硅晶體管的情況下基極-發(fā)射極間電壓：vbe根據(jù)溫度變化。
由此，通過測定vbe，可以推測結(jié)溫。
通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：pc(max)。
(假設1w晶體管的情況下，輸入條件為vcb=10v ie=100ma)
測定vbe的初始值vbe1
對晶體管輸入功率，使pn結(jié)熱飽和
vbe的后續(xù)值：測定vbe2
從這個結(jié)果得出△vbe=vbe2-vbe1。
這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mv/oc。
（達林頓晶體管為ー4.4mv/oc）
因此，根據(jù)由輸入功率得出△vbe，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。