太赫茲定義：
太赫茲波通常指頻率在 0.1～10 thz，或者波長在 3 mm～30um 的電磁輻射，它處于紅外波與微波之間，在低頻區(qū)與毫米波重疊，在高頻區(qū)與紅外波重疊，如下圖所示，其在電磁波譜的特殊位置決定了它具有非常的輻射特性。1 thz（1×1012hz）對應(yīng)的波長為 300um波數(shù)為 33 cm-1，單光子能量為 4.1 mev；在室溫下，熱噪聲 kbt/h ≈ 6thz可見太赫茲輻射的光子能量與室溫下的熱噪聲相當(dāng)。
太赫茲特點：
，低能量，1thz電磁輻射的單光子能量只有4.1mev，不及x射線電磁輻射單光子能量的百萬分之一，在醫(yī)學(xué)檢查和無損檢測方面具有廣泛的應(yīng)用前景。
第二，寬頻譜，脈沖太赫茲輻射的頻譜范圍從幾十ghz到幾十個thz，許多生物大分子的振動和轉(zhuǎn)動能級，以及半導(dǎo)體，超導(dǎo)材料等的聲子振動能級都在thz頻段，在光譜分析和物質(zhì)識別等方面具有非常廣泛的應(yīng)用前景。
第三，強穿透，大部分非極性材料在thz波段沒有明顯的吸收，因此thz輻射對于這些材料有非常強的穿透能力，thz技術(shù)在公共場所進行安全檢查方面具有非常強的應(yīng)用前景。
第四，瞬態(tài)性，脈沖thz輻射的典型時間寬度大約在ps或者亞ps量級，可以對材料進行超快時間研究；目前，利用thz時域光譜技術(shù)，可以得到大于104的強度信噪比，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ftir技術(shù)。
太赫茲產(chǎn)生：
隨著超短脈沖激光技術(shù)的飛速發(fā)展，為太赫茲脈沖的產(chǎn)生提供了有效且穩(wěn)定的激發(fā)光源，配合半導(dǎo)體技術(shù)的日益完善以及加工工藝的日趨成熟，d. h. auston 和 d. grischkowsky 等在 20 世紀(jì) 80 年代利用天線輻射原理，設(shè)計制作了多種結(jié)構(gòu)的偶極子天線，沉積到ⅲ-ⅴ族半導(dǎo)體材料（gaas，inp 等）表面上，利用超短飛秒脈沖激光激發(fā)這些半導(dǎo)體材料產(chǎn)生光生載流子，同時給天線電極兩端施加一個偏壓電場，在此作用下半導(dǎo)體材料表面會形成瞬變光電流，這種隨時間快速變化的光電流可以向外輻射太赫茲波。1992 年，張希成（x. c. zhang）等利用光整流作用產(chǎn)生了相干太赫茲輻射，該機制是利用一束超短激光脈沖入射到一個非線性介質(zhì)（如 linbo3，litao3，znte 等）中，根據(jù)傅里葉變換理論，該光束可以分解成一系列單色光的疊加，這些單色光在非線性介質(zhì)中發(fā)生混合，產(chǎn)生和頻振蕩和差頻振蕩，其中差頻振蕩會產(chǎn)生一個低頻振蕩的時變電極化場，如果入射激光脈沖的脈沖寬度在亞皮秒量級，則這個瞬變的電極化場可以向外輻射太赫茲波。90 年代后期，h. hamster 等利用超短激光脈沖聚焦空氣形成等離子體向外輻射太赫茲波，吸引了人們的廣泛關(guān)注。21 世紀(jì)初期，m. kress 等在空氣等離子體產(chǎn)生太赫茲波的基礎(chǔ)上，利用 bbo 晶體誘導(dǎo)激發(fā)四波混頻效應(yīng)產(chǎn)生太赫茲輻射，將超快太赫茲輻射源研究推向一個新高度。以上產(chǎn)生太赫茲輻射的方法都是利用激光光源作為激勵源產(chǎn)生太赫茲輻射，這些方法產(chǎn)生的太赫茲輻射頻率一般在 1thz 以上，具有一定的頻譜寬度，相干度比較好，但是太赫茲輻射的能量很大程度上依賴于激勵源的能量，而且轉(zhuǎn)化效率非常低，一般在千分之一以下，因此獲得的太赫茲輻射平均功率比較低，通常在微瓦量級以下，很大程度上限制了太赫茲波的應(yīng)用。
為了尋求高功率的太赫茲輻射源，科學(xué)家們從電子學(xué)角度出發(fā)，設(shè)計制作了一些特殊的電子器件，可以輻射出 mw 量級以上的低頻（<1thz）連續(xù)太赫茲輻射，在工業(yè)和軍事等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。20 世紀(jì) 80 年代末期，p. guidee 等利用返波振蕩器（bwo）實現(xiàn)了 850ghz～1thz 的可調(diào)諧太赫茲輻射，平均輻射功率達到 2mw。2002 年，英國和意大利科學(xué)家們合作研制出一個太赫茲量子級聯(lián)激光器（thz-qcl），太赫茲輻射功率達到 2mw。同年，m. c. martin等利用自由電子激光器（fel）獲得 1w/cm2的太赫茲輻射功率密度。2003年，m. kuntze 等利用回旋管（gyrotron）獲得了千瓦級峰值功率的太赫茲連續(xù)輻射。盡管這些電子學(xué)方法可以產(chǎn)生高功率的太赫茲波輻射，但是存在著諸多局限因素，比如設(shè)備體積龐大、成本昂貴、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜、難于維護等，很大程度上限制了太赫茲技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展。
太赫茲探測
20 世紀(jì) 80 年代，auston 等利用多種不同結(jié)構(gòu)的偶極天線探測到脈沖太赫茲信號，這種方法稱之為光電導(dǎo)采樣（photoconductive sampling），它是基于光電導(dǎo)天線發(fā)射機理的逆過程發(fā)展起來的一種脈沖太赫茲探測技術(shù)。1996 年，張希成等利用自由空間電光采樣技術(shù)（free-space-electro-optic sampling）對太赫茲脈沖信號進行了測量。相比較光電導(dǎo)采樣技術(shù)，這種方法可以獲得更寬的測量帶寬，且穩(wěn)定性更高，同時具有較高的靈敏度，引起了人們的廣泛關(guān)注。無論是光電導(dǎo)采樣還是自由電光采樣，都是一種間接測量太赫茲輻射的手段，而在有些情況下，我們需要直接對太赫茲輻射功率進行測量。1994 年，richard 等利用測輻射熱計（bolometer）直接探測連續(xù)太赫茲輻射源的功率。1996 年， m. i. dyakonov 等利用場效應(yīng)晶體管（field effect transistor）實現(xiàn)了太赫茲輻射能量測量。2000 年，komiyama 研究小組利用量子點探測器實現(xiàn)了太赫茲單光子探測。對于連續(xù)太赫茲輻射的直接測量，類似的探測器件還有高萊探測器（golay cell）、熱釋電探測器、肖特基二極管，量子環(huán)探測器，以及碳納米管等。
太赫茲應(yīng)用
太赫茲波在電磁波譜上的位置決定了其具有的輻射性質(zhì)，如較高的輻射頻率、超短脈沖寬度、低輻射光子能量、強穿透特性，以及輻射相干特性等，具有巨大的發(fā)展?jié)摿蛷V闊的應(yīng)用前景。其中，太赫茲時域光譜技術(shù)和成像技術(shù)構(gòu)成了太赫茲波應(yīng)用的兩個主要關(guān)鍵技術(shù)，運用這兩個技術(shù)手段可在生物醫(yī)學(xué)、無損檢測、材料分析，以及安全檢查等領(lǐng)域進行廣泛的研究。
nethis公司是法國波爾多的一家專注于新型太赫茲成像系統(tǒng)公司，源于法國國家科學(xué)研究中心，致力為激光光束分析和成像研發(fā)創(chuàng)新新型設(shè)備。富泰科技（香港）有限公司作為nethis國內(nèi)代理為科研工業(yè)客戶提供多光譜工業(yè)視覺創(chuàng)新解決方案，包括太赫茲相機，功率計，激光探測卡，覆蓋從紫外光到太赫茲波寬域頻譜。