只讀存儲(chǔ)器（rom）的信息在制造時(shí)或通過一定的編程方法寫入，在系統(tǒng)中通常只能讀出不能寫入。在斷電時(shí)，其信息不會(huì)丟失，它用來存放固定的程序及數(shù)據(jù)，如監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。
只讀存儲(chǔ)器可以分為掩膜式rom、一次性編程prom、可重復(fù)編程的則有光擦除的eprom、e2prom及flash memory 等。
掩膜式rom也稱固定rom。它是由半導(dǎo)體生產(chǎn)廠根據(jù)用戶的要求，在生產(chǎn)過程中根據(jù)用戶提供的程序或數(shù)據(jù)制造。制成之后，用戶只能讀出其信息而不能加以修改。它適用于定型產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。
一次性編程prom可供用戶通過編程器寫入一次程序或數(shù)據(jù)。寫入以后其內(nèi)容不允許修改。這樣用戶可自行將無須修改的程序或數(shù)據(jù)寫入 rom，如寫入后發(fā)現(xiàn)其內(nèi)容還需修改，只能將此芯片報(bào)廢，重新取用一片新的。它適用于批量較小的場(chǎng)合。
eprom是一種利用光擦除的能夠重復(fù)擦、寫的只讀存儲(chǔ)器。用戶可通過編程器寫入程序。當(dāng)需要修改時(shí)，可用紫外光通過芯片上的石英玻璃窗照射芯片15～20分鐘，將芯片內(nèi)的信息全部擦除。此時(shí)所有單元的內(nèi)容均為1。用戶可將其再次寫入信息。eprom使用比較靈活，當(dāng)用戶寫入一程序后發(fā)現(xiàn)部分?jǐn)?shù)據(jù)需修改時(shí)，可以將其內(nèi)容擦去后再次寫入。它在科研及小批量生產(chǎn)過程中使用較普遍。
eprom的擦或?qū)懢鑼Ｓ迷O(shè)備。即使要修改一個(gè)數(shù)據(jù)也必須將芯片從系統(tǒng)中拆下，把信息全部擦除后再次重新寫入。而在實(shí)際使用中，往往只要求修改一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)數(shù)據(jù)。eeprom和flash memory在這方面顯示了其優(yōu)越性，是目前用得較多的大容量只讀存儲(chǔ)器。與光擦除的eprom不同的是，它采用了電擦除的方式，而編程也無須通過專用的編程器進(jìn)行，可在應(yīng)用系統(tǒng)中直接編程。在寫入的同時(shí)即擦除了原有的信息，通常在器件的內(nèi)部產(chǎn)生編程所需的高電壓，用戶只需5v的電壓即可對(duì)其進(jìn)行操作。
e2prom的數(shù)據(jù)讀出類似于靜態(tài)ram（sram）的數(shù)據(jù)讀出，數(shù)據(jù)寫入分為字節(jié)寫入和頁寫入兩種模式。在器件內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁寄存器，允許最多寫入64個(gè)字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)。寫入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個(gè)過程，寫周期最大為10ms。在寫入操作的同時(shí)，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
flash memory的數(shù)據(jù)讀出類似于靜態(tài)ram（sram）的數(shù)據(jù)讀出。數(shù)據(jù)寫入為頁寫入模式。在器件內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁寄存器，要求一次寫入64個(gè)字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)，寫入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個(gè)過程，寫周期最大為10ms。在編程時(shí)，一頁中未裝入的數(shù)據(jù)將為不確定數(shù)據(jù)。在寫入操作的同時(shí)，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。