電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)昆山宏展技術(shù)部
國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
一、gb/t2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：1gb/t2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗a:低溫
2gb/t2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗b:高溫
3gb/t2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ca:恒定濕熱試驗方法
4gb/t2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗db:交變濕熱試驗方法
5gb/t2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法試驗ea和導(dǎo)則:沖擊
6gb/t2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗eb和導(dǎo)則：碰撞
7gb/t2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
8gb/t2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗ed:自由跌落
9gb/t2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗cb:設(shè)備用恒定濕熱
10gb/t2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗fc和導(dǎo)則:振動（正弦）
11gb/t2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fd:寬頻帶隨機振動--一般要求
12gb/t2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fda:寬頻帶隨機振動--高再現(xiàn)性
13gb/t2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fdb:寬頻帶隨機振動中再現(xiàn)性
14gb/t2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fdc:寬頻帶隨機振動低再現(xiàn)性
15gb/t2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
16gb/t2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗j和導(dǎo)則:長霉
17gb/t2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ka:鹽霧試驗方法
18gb/t2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗--試驗kb:鹽霧,交變（氯化鈉溶液）
19gb/t2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法
20gb/t2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法
21gb/t2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗m:低氣壓試驗方法
22gb/t2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗n:溫度變化
23gb/t2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗q:密封
24gb/t2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗sa:模擬地面上的太陽輻射
25gb/t2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/am:低溫／低氣壓綜合試驗
26gb/t2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/bm:高溫／低氣壓綜合試驗
27gb/t2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/amd:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗方法
28gb/t2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗t:錫焊試驗方法
29gb/t2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗u:引出端及整體安裝件強度
30gb/t2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
31gb/t2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗方法
32gb/t2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗方法
33gb/t2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kca:高濃度二氧化硫試驗方法
34gb/t2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/ad:溫度/濕度組合循環(huán)試驗方法
35gb/t2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/afc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/振動（正弦）綜合試驗方法
36gb/t2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動（正弦）綜合試驗方法
37gb/t2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗l:砂塵試驗方法
38gb/t2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗r:水試驗方法
39gb/t2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ee:彈跳試驗方法
40gb/t2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41gb/t2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程風(fēng)壓試驗方法
42gb/t2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗低溫/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗方法
43gb/t2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（ea）、碰撞（eb）、振動（fc和fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（ca）等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則
44gb/t2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗eg:撞擊彈簧錘
45gb/t2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗z/abdm：氣候順序
46gb/t2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗ef：撞擊擺錘
47gb/t2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fg:聲振
48gb/t2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗ff:振動--時間歷程法
49gb/t2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fe:振動--正弦拍頻法
50gb/t2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗
51gb/t2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗ke:流動混合氣體腐蝕試驗
二、gb2421-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則
三、gb/t2422-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗術(shù)語
四、gb24241.gb2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程高溫低溫試驗導(dǎo)則
2.gb/t2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程濕熱試驗導(dǎo)則
3.gb/t2424.9-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程長霉試驗導(dǎo)則
4.gb/t2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程大氣腐蝕加速試驗的通用導(dǎo)則
5.gb/t2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和鏈接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則
6.gb/t2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則
7.gb/t2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度變化試驗導(dǎo)則
8.gb/t2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程第2部分：試驗方法太陽輻射試驗導(dǎo)則
9.gb/t2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗導(dǎo)則10.gb/t2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程錫焊試驗導(dǎo)則
11.gb/t2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程在清洗濟中浸漬試驗導(dǎo)則
12.gb/t2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程模擬儲存影響的環(huán)境試驗導(dǎo)則
13.gb/t2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗導(dǎo)則
14.gb/t2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗導(dǎo)則
15.gb/t2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度（低溫、高溫）和振動（正玄）綜合試驗導(dǎo)則
16.gb/t2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程水試驗導(dǎo)則
17.gb/t2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正玄）綜合試驗導(dǎo)則
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