τ:10～6000μs，ρ＞3ω·cm ，配數(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)的重要檢測項目。設備組成1.光脈沖發(fā)生裝置:重復頻率>25次/s脈 寬>60μｓ光脈沖關斷時間＜1μｓ紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）脈沖電流：5a～20a如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源2.高頻源:頻 率：30mhz低輸出阻抗輸出功率>1w放大器和檢波器:頻率響應：2hz～2mhz3.配用示波器：配用示波器：頻帶寬度不低于10mhz，y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調(diào)。測量范圍：可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1ω·㎝（歐姆·厘米）壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）