τ:10~6000μs,ρ>3ω·cm ,配數(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)的重要檢測項目。設備組成1.光脈沖發(fā)生裝置:重復頻率>25次/s脈 寬>60μs光脈沖關斷時間<1μs紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)脈沖電流:5a~20a如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源2.高頻源:頻 率:30mhz低輸出阻抗輸出功率>1w放大器和檢波器:頻率響應:2hz~2mhz3.配用示波器:配用示波器:頻帶寬度不低于10mhz,y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調(diào)。測量范圍:可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1ω·㎝(歐姆·厘米)壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒)