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晶閘管過(guò)壓過(guò)流保護(hù)電路圖

發(fā)布時(shí)間:2024-05-07
在電力電子行業(yè)經(jīng)常用到晶閘管,如進(jìn)相器、中頻爐等,經(jīng)常做維修的朋友都知道晶閘管有時(shí)會(huì)燒壞,那為什么燒壞呢?主要原因就是過(guò)壓過(guò)流擊穿,造成過(guò)壓過(guò)流的原因有時(shí)是負(fù)荷變化引起的,有時(shí)是操作者錯(cuò)誤的操作順序引起的,有時(shí)是晶閘管的保護(hù)電路不合適引起的。本文主要討論晶閘管的保護(hù)電路以供朋友們選擇。
晶閘管的保護(hù)電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件,例如,r—c阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路,檢測(cè)設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過(guò)允許值時(shí),借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而抑制過(guò)電壓或過(guò)電流的數(shù)值。
晶閘管過(guò)壓過(guò)流保護(hù)電路圖
一.晶閘管的過(guò)流保護(hù)
晶閘管設(shè)備產(chǎn)生過(guò)電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因, 如整流晶閘管損壞, 觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等; 其中整流橋晶閘管損壞類較為嚴(yán)重, 一般是由于晶閘管因過(guò)電壓而擊穿,造成無(wú)正、反向阻斷能力,它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生永久性短路,使在另外兩橋臂晶閘管導(dǎo)通時(shí),無(wú)法正常換流,因而產(chǎn)生線間短路引起過(guò)電流.另一類則是整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過(guò)電流,這類情況時(shí)有發(fā)生,因?yàn)檎鳂虻呢?fù)載實(shí)質(zhì)是逆變橋, 逆變電路換流失敗,就相當(dāng)于整流橋負(fù)載短路。另外,如整流變壓器中心點(diǎn)接地,當(dāng)逆變負(fù)載回路接觸大地時(shí),也會(huì)發(fā)生整流橋相對(duì)地短路。
對(duì)于第一類過(guò)流,即整流橋內(nèi)部原因引起的過(guò)流,以及逆變器負(fù)載回路接地時(shí),可以采用第一種保護(hù)措施,最常見(jiàn)的就是接入快速熔短器的方式。見(jiàn)圖1??焖偃鄱唐鞯慕尤敕绞焦灿腥N,其特點(diǎn)和快速熔短器的額定電流見(jiàn)表1。
圖1:快速熔短器的接入方法
2. 對(duì)于第二類過(guò)流,即整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過(guò)電流,則應(yīng)當(dāng)采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。常見(jiàn)過(guò)流保護(hù)原理圖如下
圖2:過(guò)流保護(hù)原理圖
二.晶閘管的過(guò)壓保護(hù)
晶閘管設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中,會(huì)受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過(guò)電壓和雷擊過(guò)電壓的侵襲。同時(shí),設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過(guò)電壓出現(xiàn)。
1.過(guò)電壓保護(hù)的第一種方法是并接r—c阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以抑制。見(jiàn)圖3和圖4。
2. 過(guò)電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。常見(jiàn)的電子保護(hù)原理圖如下:
圖5:過(guò)壓保護(hù)原理圖
三.電流上升率、電壓上升率的抑制保護(hù)
1.電流上升率di/dt的抑制
晶閘管初開(kāi)通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然后以0.1mm/s的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面,若晶閘管開(kāi)通時(shí)電流上升率di/dt過(guò)大,會(huì)導(dǎo)致pn結(jié)擊穿,必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感。如下圖:
圖6:串聯(lián)電感抑制回路
2.電壓上升率dv/dt的抑制
加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過(guò)大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。
為抑制dv/dt的作用,可以在晶閘管兩端并聯(lián)r—c阻容吸收回路。如下圖:
圖7:并聯(lián)r—c阻容吸收回路
晶閘管過(guò)壓過(guò)流保護(hù)主要就是以上這些電路圖,做好以上這些保護(hù)電路,設(shè)備的故障率會(huì)很大降低.
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