氮化鎵技術(shù)是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體材料技術(shù)之一。它能夠提供更高的電子流動(dòng)速度和更低的電子散射，這意味著氮化鎵器件能夠處理更高的功率，并能夠在更高的頻率范圍內(nèi)工作，比如從瓦特到千瓦級(jí)的功率應(yīng)用。
德州儀器公司（ti）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。ti的氮化鎵器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于單元器件和系統(tǒng)級(jí)包裝，包括功率開(kāi)關(guān)、射頻功率放大器和dc-dc轉(zhuǎn)換器等各種應(yīng)用領(lǐng)域。
對(duì)于高功率的應(yīng)用，ti推出了gallium nitride（gan）fet，它能夠在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供更高的效率和能量密度，并且可以實(shí)現(xiàn)更緊湊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。這種gan fet與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，具有更高的速度和更高的功率密度，能夠承受更高的電壓和電流，同時(shí)具有更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
另外，ti還推出了一種高性能的直流-直流（dc-dc）轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵fet和硅二極管的組合，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和更小的尺寸。與傳統(tǒng)的硅fet相比，氮化鎵fet具有更高的開(kāi)關(guān)速度和能力，更高的熱穩(wěn)定性和更低的導(dǎo)通電阻，是半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向。
總之，氮化鎵技術(shù)為功率應(yīng)用和高頻應(yīng)用提供了極大的發(fā)展前景，ti將繼續(xù)推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，為客戶提供更高效、更可靠的半導(dǎo)體器件解決方案。