1，三星840evo ssd怎樣求大神解答2，三星840evo120g 固態(tài)硬盤寫入總字節(jié)數(shù)用到多少硬盤差不多就要換了3，三星固態(tài)硬盤evo和pro的區(qū)別1，三星840evo ssd怎樣求大神解答
挺好的啊 我現(xiàn)在用的就是840evo 120g的 感覺碉堡了~
2，三星840evo120g 固態(tài)硬盤寫入總字節(jié)數(shù)用到多少硬盤差不多就要換了
容量x顆粒的pe次數(shù) 120g＊1000＝120000gb，使用時(shí)間你可以根據(jù)自己每天寫入硬盤的數(shù)據(jù)量來計(jì)算一下。如果每天寫入10g數(shù)據(jù)，可以使用12000天＝33.3年。固態(tài)硬盤壽命，tbw計(jì)算，tbw換算成寫入量：megabyte〈mb〉=1024 kilobytesgigabyte〈gb〉=1024 megabytesterabyte〈tb〉=1024 gigabytespetabyte〈pb〉=1024 terabytesexabyte〈eb〉=1024 petabyteszettabyte〈zb〉=1024 exabytesyottabyte〈yb〉=1024 zettabytes首先得明白：tbw指1024gb的write，就是w指寫入量。比如三星固態(tài)硬盤860pro 500g的壽命為600tbw，也就是說可以寫入600×1024=600×1000=600000gb的數(shù)據(jù)intel 固態(tài)545s系列256g的壽命是144tbw。西部數(shù)據(jù)(wd) blue系列-3d版 250g ssd固態(tài)硬盤(wds250g2b0a)：壽命100tbw。正常人一年的寫入量其實(shí)也就4tb~5tb，壽命為600tbw可以用120年了。當(dāng)然，一般的固態(tài)硬盤是達(dá)不到這個(gè)壽命的，一般也就75tbw，150tbw，300tbw的居多，但即使是這樣，也是可以用10年以上了，所以普通硬盤根本不必?fù)?dān)心壽命問題。買固態(tài)硬盤一定要看的數(shù)據(jù)就是寫入量，因?yàn)閷懭肓渴强梢酝ㄟ^實(shí)際測(cè)試得到的，像壽命多少年無(wú)法實(shí)際去測(cè)試，一般良心的，比較自信的品牌會(huì)亮出自己的固態(tài)硬盤寫入量。一些垃圾固態(tài)就會(huì)拿讀取、寫入速度來說事。不明確寫明自己固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)的，一般用的材料會(huì)比較垃圾，工藝也垃圾，壽命自然不會(huì)怎么樣。當(dāng)然這樣的商品會(huì)便宜很多，不信你們自己可以去比較一下。一般固態(tài)硬盤使用壽命是以整盤的寫入次數(shù)來區(qū)分，以三星840pro 256gb為例來說，使用mlc芯片，pe大概3000次，那么就是3000x256gb，再除以每天的寫入量大概為30gb，基本上是71年。同時(shí)，ssd的擦寫是平均的，聰明的主控會(huì)合理安排磨損的，呵呵。所以說你128g的840pro 可以使用30多年才把寫入量用完，根本不用擔(dān)心這個(gè)問題，那個(gè)時(shí)候，你早就換新盤了！固態(tài)硬盤壽命，tbw計(jì)算，tbw換算成寫入量：megabyte〈mb〉=1024 kilobytesgigabyte〈gb〉=1024 megabytesterabyte〈tb〉=1024 gigabytespetabyte〈pb〉=1024 terabytesexabyte〈eb〉=1024 petabyteszettabyte〈zb〉=1024 exabytesyottabyte〈yb〉=1024 zettabytes首先得明白：tbw指1024gb的write，就是w指寫入量。比如三星固態(tài)硬盤860pro 500g的壽命為600tbw，也就是說可以寫入600×1024=600×1000=600000gb的數(shù)據(jù)intel 固態(tài)545s系列256g的壽命是144tbw。西部數(shù)據(jù)(wd) blue系列-3d版 250g ssd固態(tài)硬盤(wds250g2b0a)：壽命100tbw。正常人一年的寫入量其實(shí)也就4tb~5tb，壽命為600tbw可以用120年了。當(dāng)然，一般的固態(tài)硬盤是達(dá)不到這個(gè)壽命的，一般也就75tbw，150tbw，300tbw的居多，但即使是這樣，也是可以用10年以上了，所以普通硬盤根本不必?fù)?dān)心壽命問題
3，三星固態(tài)硬盤evo和pro的區(qū)別
這個(gè)就簡(jiǎn)單啦,雖然使用上感覺的差距不是很明顯,不過,就好像普通硬盤與服務(wù)器硬盤的對(duì)比:一個(gè)是普通產(chǎn)品,一個(gè)是高端旗艦型號(hào)!三星固態(tài)硬盤pro和evo簡(jiǎn)單來說定位有所區(qū)別，pro定位高端旗艦型號(hào)，evo定位親民大眾型號(hào)。我從官方客服得到答案是，evo用的是閃存顆粒是samsung v-nand 3bit mlc，pro用的閃存顆粒是samsung v-nand 2bit mlc，而實(shí)際samsung v-nand 3bit mlc就是3d tlc顆粒。所以可以總結(jié)為：pro主要采用的是可靠性和性能非常出色的mlc nand顆粒，evo而采用的是性價(jià)比且可靠性也非常高的3d tlc nand顆粒。到底啥是mlc啥是tlc，大家可能有些暈，我先給大家簡(jiǎn)單普及下。顆粒的傳統(tǒng)分類：slc、mlc、tlc簡(jiǎn)單來說，nand閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是以電荷的方式存儲(chǔ)在每個(gè)nand存儲(chǔ)單元內(nèi)的，slc、mlc及tlc就是存儲(chǔ)的位數(shù)不同。slc（single-level cell）單層式存儲(chǔ)每個(gè)存儲(chǔ)單元僅能儲(chǔ)存1bit數(shù)據(jù)，同樣，mlc（multi-level cell）可儲(chǔ)存2bit數(shù)據(jù)，tlc(trinary-level)可儲(chǔ)存3bit數(shù)據(jù)。一個(gè)存儲(chǔ)單元上，一次存儲(chǔ)的位數(shù)越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節(jié)約閃存的成本，提高nand的生產(chǎn)量。mlc的優(yōu)勢(shì)在于，tlc需要識(shí)別8種信號(hào)，而mlc只需要識(shí)別4種信號(hào)，可以花更少時(shí)間來讀取數(shù)據(jù)。因此，3d nand出現(xiàn)之前，mlc在性能和可靠性上，是高于tlc的。但是，隨著三星的3d tlc的出現(xiàn)，tlc與mlc的性能和可靠性逐漸拉小差距。3d nand閃存：三星的殺手锏級(jí)產(chǎn)品剛介紹的nand閃存不僅有slc、mlc和tlc類型之分，為了進(jìn)一步提高容量、降低成本，nand的制程工藝也在不斷進(jìn)步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。雖然先進(jìn)工藝雖然帶來了更大的容量，但是nand閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時(shí)可靠性及性能都在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，nand的硅基越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補(bǔ)，但這又會(huì)提高成本，以致于達(dá)到某個(gè)點(diǎn)之后制程工藝已經(jīng)無(wú)法帶來優(yōu)勢(shì)了。相比之下，3d nand解決問題的思路就不一樣了，想要提高nand的容量、降低成本，廠商不需要費(fèi)勁心思去提高制程工藝了，轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了，這樣一來3d nand閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了。由于已經(jīng)向垂直方向擴(kuò)展nand密度，那就沒有繼續(xù)縮小晶體管的壓力了，所以三星可以使用相對(duì)更舊的工藝來生產(chǎn)3d nand閃存，做成3d v-nand mlc或者3d v-nand tlc?，F(xiàn)在三星已經(jīng)就這樣做了，pro是3d mlc，evo是3d tlc。使用舊工藝的好處就是p/e擦寫次數(shù)大幅提升，而且電荷干擾的情況也因?yàn)槭褂门f工藝而大幅減少。三星閃存顆粒過去房子基本都是一層平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房間，就需要壓縮每個(gè)房間的空間。隨著租客越來越多，房間空間越來越小了，只能放一張床了，再繼續(xù)壓縮的話，人都住不了。怎么辦？聰明的建筑師想到了可以在房子上再蓋房子，拓展垂直空間?，F(xiàn)在好了，有人可以搬到樓上去，大家再也不用擠在那么小的房間。3d nand閃存思想就是這樣的，不是一味的在一個(gè)平面提升閃存密度，而是堆積多個(gè)平面，達(dá)到提升閃存容量的目的。將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內(nèi)可容納的人就會(huì)更多，這點(diǎn)是同理的。由此我們也可以得出結(jié)論3d mlc>3d tlc>2d mlc>2d tlc，現(xiàn)在不管購(gòu)買三星pro還是evo都不用過分考慮ssd閃存壽命問題，可能電腦主機(jī)完全淘汰了ssd還健在，而從正常使用考慮三星evo采用3d tlc技術(shù)也足以應(yīng)對(duì)日常數(shù)據(jù)處理，追求更高性能的用戶則可以考慮三星pro系列產(chǎn)品，性能更為出色！以三星固態(tài)硬盤840 evo和840 pro區(qū)別為例，如下：
兩款固態(tài)硬盤的nand flash閃存芯片不同，840 evo采用的閃存芯片為tlc，840 pro采用的閃存芯片為mlc，后者無(wú)論從讀寫速度與使用壽命上都強(qiáng)于840 evo。