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鈍化產(chǎn)品CVD涂層特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)述

發(fā)布時(shí)間:2024-04-25
鈍化技術(shù)是在材料表面涂覆cvd涂層來(lái)實(shí)現(xiàn)的,而cvd是一種通過(guò)化學(xué)氣相沉積應(yīng)用于材料表面技術(shù)的方法,它應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝,它大致包含三步:
(1)形成揮發(fā)性物質(zhì) ;
(2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ;
(3)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì);
silcotek®公司cvd(化學(xué)氣相沉積)是一種將揮發(fā)性引發(fā)劑和功能單體氣(通常是在真空下)注入腔體內(nèi)的反應(yīng)過(guò)程,負(fù)壓進(jìn)行沉積,通常真空沉積膜層質(zhì)量好,腔室加熱到反應(yīng)溫度,使引發(fā)劑氣體發(fā)生反應(yīng)或分解生成所需的涂層,并與材料表面有機(jī)的結(jié)合。隨著時(shí)間推移,涂覆氣體逐漸形成在材料表面上,其在暴露部分的表面形成均勻的涂層。例如想把硅涂附著在材料表面,使用三氯硅烷(sihcl3)引發(fā)劑,當(dāng)sihcl3在腔室加熱時(shí),發(fā)生分解和產(chǎn)生的硅涂層在材質(zhì)表面上,反應(yīng)如下: sihcl3→ si + cl2+ hcl硅將有機(jī)的結(jié)合到任何暴露的表面(內(nèi)部和外部),而氯氣和鹽酸氣體副產(chǎn)品將從腔室排放出來(lái),其廢氣的處理根據(jù)當(dāng)?shù)氐姆ㄒ?guī)要求進(jìn)行清除、處理。
鈍化技術(shù)是以材料表面涂覆cvd涂層來(lái)實(shí)現(xiàn)的,cvd是一種通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法應(yīng)用于材料表面的技術(shù)。
silcotek®公司cvd涂層系統(tǒng)中使用的材料大致有從硅化合物到碳化合物、氟碳或有機(jī)氟,以及類似氮化鈦這樣的氮化物。一些材料如硅,可以通過(guò)摻雜不同氣,使表面(改變或添加額外的化學(xué)物質(zhì))來(lái)進(jìn)一步增強(qiáng)涂層的功能,以達(dá)到特定的性能目的和指標(biāo)。
化學(xué)氣相沉積不同于物理氣相沉積(pvd)等其他常見(jiàn)的涂層應(yīng)用方法,這些與化學(xué)氣相沉積相比,大多數(shù)常見(jiàn)的涂層噴涂工藝會(huì)導(dǎo)致可近外盲區(qū)不均勻或沒(méi)有的涂覆產(chǎn)生,化學(xué)氣相沉積涂層可以使應(yīng)用于涂層的氣體能進(jìn)入的任何區(qū)域,如上圖形象看出兩種涂覆的區(qū)別了。
silcotek®公司cvd涂層工藝的特點(diǎn):
▲在高溫下應(yīng)用可以促進(jìn)反應(yīng);
▲涂裝前必須清除零件表面的污染物;
▲涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
▲可以通過(guò)各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
▲涂層氣體將覆蓋零件的所有區(qū)域,包括螺紋、盲孔、檢測(cè)器(pdhid)和內(nèi)部表面;
▲涂層在反應(yīng)過(guò)程中粘結(jié)到材料表面,與其他類型的pvd涂層相比,具有附著力、穩(wěn)定性。
silcotek®公司cvd涂層的優(yōu)勢(shì):
▲可廣泛應(yīng)用于各種基材:金屬和金屬合金、陶瓷,玻璃等;
▲可噴涂精密和復(fù)雜材質(zhì)表面,包括密封區(qū)域和內(nèi)部表面;
▲能承受低溫、高溫溫度變化;
▲持久的涂層與基材結(jié)合,意味著涂層在高應(yīng)力環(huán)境中也保持結(jié)合,即使基材表面彎曲也能保持耐彎曲性能。通過(guò)各種技術(shù)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行氣相擾動(dòng),以改善其結(jié)構(gòu)。
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