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我們通?？梢栽趕dram的標(biāo)簽上看到型號(hào)和參數(shù)。模型由內(nèi)存芯片廠商自己定義，不同廠商定義規(guī)則不一致。通常，記憶參數(shù)可以通過(guò)模型來(lái)識(shí)別。同時(shí)，參數(shù)也將在記憶棒標(biāo)簽上進(jìn)行標(biāo)識(shí)。
參數(shù)的定義基本遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可以直觀的識(shí)別內(nèi)存的性能。有些廠商不在內(nèi)存條上打印參數(shù)，這給鑒定內(nèi)存性能帶來(lái)了一些困難。本文主要說(shuō)明記憶參數(shù)的識(shí)別。
正常的表示方法遵循以下格式：“容量記憶中粒子數(shù)的代數(shù)-速率(識(shí)別)延遲電壓”，如4gb 2rx8 pc3-1200s-11-11-e3。
內(nèi)存容量數(shù)字越大，臨時(shí)存儲(chǔ)也越大，比如16gb、8gb、1gb、512mb、256mb。
記憶粒子數(shù)表示記憶粒子數(shù)和焊接面數(shù)，格式為arxb，如2rx8。1r代表只有一側(cè)的記憶粒子，2r代表兩側(cè)的記憶粒子；x8表示每側(cè)的存儲(chǔ)粒子的數(shù)量。2x8代表一側(cè)的8個(gè)存儲(chǔ)粒子，
他們有16個(gè)人。
內(nèi)存代數(shù)到目前為止，市面上常見(jiàn)的內(nèi)存主要是ddr內(nèi)存，有五代。表示為pc1、pc2、pc3、pc4和pc5。不同代數(shù)之間的記憶是不兼容的，不能混合，在金手指插座處做了防呆處理。
不同代數(shù)的金手指處的防呆口位置不一致。
如果后面是l，代表低壓版本，比如pc3l。
防呆嘴的設(shè)計(jì)
內(nèi)存速率為12800=1600 x 8，內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率為1600mhz。
pc2-12800也被稱為ddr2-1600。
內(nèi)存識(shí)別有時(shí)候內(nèi)存頻率后面有字母，比如5300f。
u代表udimm內(nèi)存
r代表rdimm內(nèi)存
p代表帶rdimm的ecc內(nèi)存。
e代表ecc內(nèi)存和檢錯(cuò)糾錯(cuò)技術(shù)，稱為檢錯(cuò)糾錯(cuò)。服務(wù)器計(jì)算機(jī)需要主板托管。
f和fb代表全緩沖ecc內(nèi)存，與非f內(nèi)存不兼容，防呆口位置不一致。用于服務(wù)器計(jì)算機(jī)。
s代表so-dimm
rdimm: 全稱（registered dimm），寄存型模組，主要用在服務(wù)器上，為了增加內(nèi)存的容量和穩(wěn)定性分有ecc和無(wú)ecc兩種，但市場(chǎng)上幾乎都是ecc的。
udimm：全稱（unbuffered dimm），無(wú)緩沖型模組，這是我們平時(shí)所用到的標(biāo)準(zhǔn)臺(tái)式電腦dimm，分有ecc和無(wú)ecc兩種，一般是無(wú)ecc的。
so-dimm：全稱（small outline dimm），小外型dimm，筆記本電腦中所使用的dimm，分ecc和無(wú)ecc兩種。
mini-dimm：ddr2時(shí)代新出現(xiàn)的模組類型，它是registered dimm的縮小版本，用于刀片式服務(wù)器等對(duì)體積要求苛刻的高端領(lǐng)域。
時(shí)延（latency）4-4-4-8代表時(shí)延的四個(gè)參數(shù)cl-trcd-trp-tras-cmd，數(shù)據(jù)越小代表延時(shí)時(shí)間越小。
cl為時(shí)序，cl9代表時(shí)序值為9。
電壓如1.35v為電壓值