1、bjt高頻小信號(hào)模型的提出：
根據(jù)bjt的特性方程，推導(dǎo)出的h參數(shù)低頻小信號(hào)模型在高頻運(yùn)用的情況下，其物理過程有些差異，主要表現(xiàn)在bjt的極間電容不可忽略。為此，我們從bjt的物理機(jī)構(gòu)出發(fā)加以分析，再用電阻、電容、電感等電路元件來模擬其物理過程，從而得出bjt的高頻小信號(hào)模型，如圖1所示?，F(xiàn)就此模型中的各個(gè)元件參數(shù)作一簡要的說明。
2、bjt的高頻小信號(hào)模型：
在圖示的bjt的高頻小信號(hào)模型中
圖1 bjt的高頻小信號(hào)模型
rbb¢ ——基區(qū)體電阻。
rb¢e ——發(fā)射結(jié)的小信號(hào)電阻，由于發(fā)射結(jié)正偏，rb¢e很小。
cb¢e ——發(fā)射結(jié)電容。
rb¢c ——集電結(jié)反偏小信號(hào)電阻（圖中未畫出）。
cb¢c——集電結(jié)電容。
——受控電流源 ，它受 所控制。gm稱為互導(dǎo)，定義為 。
rce ——受控電流源的電阻（圖中未畫出）。
在高頻情況下，rb¢c 的數(shù)值很大，可以忽略不計(jì)； 一般 ，因此，rce也略去。