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IGBT短路保護(hù)電路工作原理

發(fā)布時(shí)間:2023-11-16
圖1(a)所示為工作在pwm整流狀態(tài)的h型橋式pwm變換電路(此圖為正弦波正半波輸入下的等效電路,上半橋的兩只igbt未畫(huà)出),圖1(b)為下半橋兩只大功率器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和相關(guān)的器件波形。現(xiàn)以正半波工作過(guò)程為例進(jìn)行分析(對(duì)于三相pwm電路,在整流、逆變工作狀態(tài)或單相dc/dc工作狀態(tài)下,pwm電路的分析過(guò)程及結(jié)論基本類似)。
在圖1所示的電路中,在市電電源us的正半周期,將ug2.4所示的高頻驅(qū)動(dòng)信號(hào)加在下半橋兩只igbt的柵極上,得到管壓降波形ut2d。其工作過(guò)程分析如下:在t1~t2時(shí)刻,受驅(qū)動(dòng)信號(hào)的作用,t2、t4導(dǎo)通(實(shí)際上是t2導(dǎo)通, t4處于續(xù)流狀態(tài)),在us的作用下通過(guò)電感l(wèi)s的電流增加,在t2管上形成如圖1(b)中ut2d所示的按指數(shù)規(guī)律上升的管壓降波形,該管壓降是通態(tài)電流在igbt導(dǎo)通時(shí)的體電阻上產(chǎn)生的壓降;在t2~t3時(shí)刻,t2、t4關(guān)斷,由于電感l(wèi)s中有儲(chǔ)能,因此在電感l(wèi)s的作用下,二極管d2、d4續(xù)流,形成圖1(b)中ut2.d的陰影部分所示的管壓降波形,以此類推。分析表明,為了能夠檢測(cè)到igbt導(dǎo)通時(shí)的管壓降的值,應(yīng)該將在t1~t2時(shí)刻igbt導(dǎo)通時(shí)的管壓降保留,而將在t2~t3時(shí)刻檢測(cè)到的igbt的管壓降的值剔除,即將圖1(b)中ut2.d的陰影部分所示的管壓降波形剔除。由于igbt的開(kāi)關(guān)頻率比較高,而且存在較大的開(kāi)關(guān)噪聲,因此在設(shè)計(jì)采樣電路時(shí)應(yīng)給予足夠的考慮。
根據(jù)以上的分析可知,在正常情況下,igbt導(dǎo)通時(shí)的管壓降uce(sat)的值都比較低,通常都小于器件手冊(cè)給出的數(shù)據(jù)uce(sat)的額定值。但是,如果h型橋式變換電路發(fā)生故障(如同一側(cè)橋臂上的上下兩只igbt同時(shí)導(dǎo)通的 “直通”現(xiàn)象),則這時(shí)在下管igbt的c~e極兩端將會(huì)產(chǎn)生比正常值大很多的管電壓。若能將此故障時(shí)的管壓降值快速地檢測(cè)出來(lái),就可以作為對(duì)igbt進(jìn)行保護(hù)的依據(jù),從而對(duì)igbt實(shí)施有效的保護(hù)。
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