濕法和干法兩種蝕刻方法的優(yōu)缺點比較：
濕法清洗系統(tǒng)，適用于*的無損兆聲清洗，可以用來制作容易損壞的帶或不帶圖案的基片，包括帶保護膜的模板。為了在保證基片無損傷的同時達到佳清洗效果，兆聲能量密度必須保持略低于樣片上任意位置損傷閾值。濕法刻蝕技術使基片表面聲波能量均勻分布，提高了分布能量以支持理想清洗，并保證在樣片損傷閾值范圍內。該系統(tǒng)具有重復性高，均勻度好，z級*的兆聲清洗功能，兆聲輔助下的光刻膠剝離和濕法刻蝕功能。該產品可以按工藝步驟進行無損檢測、化學試劑清洗、刷子清洗、烘干等。
兩種濕式和干式蝕刻方式的優(yōu)缺點比較：
濕法蝕刻系統(tǒng)是通過化學蝕刻液與被蝕刻物之間的化學反應使其剝落的一種蝕刻方法。濕法蝕刻多為各向同性蝕刻，不易控制。
特點：適應性強，表面均勻，對硅片的損傷小，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
缺點：繪圖質量不理想，繪圖中的小線難以把握。
干法蝕刻系統(tǒng)的蝕刻介質是等離子體，它是利用等離子體與表面膜反應，產生揮發(fā)性物質，或直接轟擊膜表面使其蝕刻的過程。
特征性：能實現(xiàn)各向異性蝕刻，以保證細節(jié)轉換后圖像的保真性。
缺點：成本一般，且用于微流控芯片的制備較少。
干式刻蝕系統(tǒng)包括：用于容置電漿用的空腔；空腔上方的石英盤；石英盤上方的多個磁體；旋轉機構，它帶動多個磁體旋轉，其中多個磁體產生與該磁體一起旋轉的磁場。通過進一步提高粒子的碰撞頻率，可以獲得佳的電漿均勻性，提高等離子濃度。