本文為大家介紹內(nèi)存漲價原因2017(2020年內(nèi)存為什么漲價)，下面和小編一起看看詳細(xì)內(nèi)容吧。
過去一年，內(nèi)存價格持續(xù)上漲。 8gb ddr4內(nèi)存接近千元，ddr3內(nèi)存也被拉高。今年內(nèi)存價格雖然有所回落，但仍遠(yuǎn)超去年同期水平。
眾所周知，計算機(jī)是由許多硬件組成的，每個硬件都有一個替代品。比如顯卡漲價了，我們可以直接買個二手顯卡，太貴了，還可以用cpu的核顯；固態(tài)硬盤漲價了，可以先用機(jī)械硬盤，降價后再買； cpu 甚至更貴。不用說，購買舊型號或超頻可以讓您多使用幾年。
只有內(nèi)存無可替代，不管是ddr3還是ddr4，沒有內(nèi)存，機(jī)器就開不了機(jī)。內(nèi)存小的電腦也會有專門的卡，導(dǎo)致很多朋友干脆放棄安裝，這對diy行業(yè)的危害很大。
內(nèi)存漲價的原因
我們知道內(nèi)存的每一次漲價都是有原因的，基本上就是天災(zāi)。當(dāng)然，我們不知道這場自然災(zāi)害背后的真相。以前，內(nèi)存價格上漲是因為工廠洪水，后來是火災(zāi)。最近，美光透露工廠出現(xiàn)故障。總之，各種困難導(dǎo)致內(nèi)存漲價。
但這次內(nèi)存漲價持續(xù)了一年之久，所以并不是簡單的“天災(zāi)”問題。筆者認(rèn)為，目前內(nèi)存價格的上漲與服務(wù)器市場和智能手機(jī)市場的火爆密不可分。 2017年，大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能等概念非?；馃?。這些產(chǎn)品都需要內(nèi)存，內(nèi)存行業(yè)的平衡被打破，漲價成為必然。
此外，挖礦行業(yè)的火爆也對內(nèi)存漲價有一定的推動作用。雖然礦機(jī)對內(nèi)存要求不高，但整體市場巨大。因此，三星、美光、sk海力士三大廠商轉(zhuǎn)向服務(wù)器客戶和大量礦機(jī)客戶，導(dǎo)致diy市場dram顆粒嚴(yán)重短缺。
盡管各大廠商都在籌劃建廠增產(chǎn)，但從長遠(yuǎn)來看，并不能解渴。這種情況導(dǎo)致整個2017年dram內(nèi)存供不應(yīng)求，因此內(nèi)存價格仍將居高不下。另外一點對內(nèi)存市場不利的是，2017年，制造內(nèi)存的pcb板和組裝成本不斷上漲，導(dǎo)致內(nèi)存整體成本和價格持續(xù)上漲，導(dǎo)致其零售價格漲幅較大。
2018年內(nèi)存價格會下降嗎？
給大家一顆定心丸，內(nèi)存價格今年肯定會降，但不是現(xiàn)在，時間預(yù)計在下半年或者年底。內(nèi)存報價要從兩個方面來分析：
供應(yīng)：dram增產(chǎn)有序進(jìn)行
內(nèi)存中最貴的部分是dram，全球只有三星、美光、海力士三個ddr4 dram廠商。下面我們來看看三大閃存廠商的情況。
目前，三星位于韓國平澤市的全球最大閃存工廠正式開工建設(shè)，閃存產(chǎn)量穩(wěn)步提升。而三星也在中國投資升級閃存工廠西安，不過三年后就會投產(chǎn)。美光方面，美光正在加強(qiáng)對臺廠的投資，預(yù)計每年達(dá)20億美元。制程將從25nm升級到1xnm，生產(chǎn)效率將大幅提升。
海力士也在中國推出了新的投資計劃。在中國無錫，海力士超級閃存工廠u-communication產(chǎn)能翻倍，將提供全球15%的內(nèi)存產(chǎn)能！
需要：智能手機(jī)很冷
智能手機(jī)方面，由于市場未達(dá)預(yù)期（2017年12月國內(nèi)手機(jī)銷量4261萬部，同比下降32.5%，1-12月總銷量4.91億部，同比下降12.3%)，因此整體手機(jī)內(nèi)存并不穩(wěn)定。沒有繼續(xù)擴(kuò)大。雖然最近新機(jī)不少，但可以看出，中高端手機(jī)還是以4gb和6gb內(nèi)存居多，8gb內(nèi)存的并不多見。
因此，以智能手機(jī)為由提高內(nèi)存價格似乎站不住腳。礦機(jī)方面，近期虛擬貨幣受政策影響暴跌，挖礦成本居高不下。因此，礦機(jī)銷售基本被擱置，內(nèi)存供需失衡將被打破。綜上所述，內(nèi)存降價是板上釘釘?shù)氖虑椤?
ddr5內(nèi)存與傲騰爭鋒！
內(nèi)存價格上漲了，不建議我們使用小內(nèi)存和其他內(nèi)存來降低價格。因為內(nèi)存降價是一個長期而緩慢的過程，你不知道內(nèi)存價格什么時候處于最低點，什么時候處于高位。為了節(jié)省兩三百塊錢，長期壓制其他硬件的性能，得不償失。
另外，玩家要面對的是，當(dāng)ddr4內(nèi)存降價的時候，ddr5內(nèi)存也將面世。據(jù)多位消息人士透露，ddr5內(nèi)存樣品已經(jīng)在今年二季度出爐，而ddr5產(chǎn)品的正式版將在6月左右見到。預(yù)計2019年初會少量推出。
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)jedec此前曾表示，下一代ddr內(nèi)存的帶寬和密度將翻倍！它還提供更高的通道效率。目前ddr4內(nèi)存的最高默認(rèn)頻率可以達(dá)到2400mhz，這意味著未來我們將會看到ddr5-4800內(nèi)存的出現(xiàn)。
intel的第九代或第十代處理器、ryzen3或第四代處理器很可能只支持ddr5內(nèi)存，這將掀起新一輪的硬件大升級浪潮。 （記得上次硬件升級是usb3.1硬件升級帶動的，很多存儲硬件都有了很大的提升）
另一方面，英特爾的傲騰內(nèi)存黑科技也不容忽視。雖然在傲騰內(nèi)存的對比中還有比較大的差距，但相信在財大氣粗的intel的大力研發(fā)下，內(nèi)存與硬盤的結(jié)合只是時間問題。你期待的ddr4內(nèi)存可能很快就會被淘汰。
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