場(chǎng)效應(yīng)管（mosfet）是一種常用的半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于電子電路中的開(kāi)關(guān)、放大器和整流器等方面。其工作原理是通過(guò)改變柵極電壓的大小而控制了源極和漏極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而使得漏電流得以控制。下面是關(guān)于mosfet工作原理的詳細(xì)介紹和舉例說(shuō)明：
mosfet的基本結(jié)構(gòu)包括柵極、源極和漏極。其中柵極是一層薄膜，被夾在源極和漏極之間的二氧化硅層上。mosfet的工作原理是，當(dāng)柵極通入一個(gè)電壓時(shí)，柵極和源極之間的電場(chǎng)就會(huì)受到影響，從而控制電荷在柵極和二氧化硅之間的分布。當(dāng)柵極電壓為0v時(shí)，漏極上不會(huì)有電場(chǎng)，導(dǎo)致電荷容易流動(dòng)，此時(shí)mosfet處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)柵極電壓增加時(shí)，二氧化硅層上的電荷分布會(huì)改變，并在源極和漏極之間形成一個(gè)反向電場(chǎng)，從而減慢電荷在漏極和源極短路的速度，此時(shí)mosfet處于截止?fàn)顟B(tài)。
例如，一個(gè)mosfet可以用作電子開(kāi)關(guān)，在電路中當(dāng)控制電壓上升時(shí)開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而在控制電壓下降時(shí)則開(kāi)關(guān)打開(kāi)。這個(gè)開(kāi)關(guān)可以用于控制其他電路元件（例如led燈或電機(jī)）的通斷。在深度電子電路中，mosfet的作用十分重要。