sic肖特基二極管優(yōu)勢
sic肖特基二極管應(yīng)用于一些具有臨界效率的電力電子器件中。與傳統(tǒng)硅相比，碳化硅具有以下優(yōu)點：碳化硅的間隙寬度eg幾乎是硅的三倍，約為3.26ev，而硅的間隙寬度eg為1.12ev，因此碳化硅的反向電流低得多；
碳化硅的臨界擊穿電場強(qiáng)度約為硅的9倍，為2.2mv/cm，而硅的臨界擊穿電場強(qiáng)度為0.25mv/cm。碳化硅半導(dǎo)體的摻雜濃度可以進(jìn)一步增加，以減小其寬度，寬度與阻擋電壓成正比。這意味著與硅基二極管相比，碳化硅二極管的阻抗將顯著降低，熱導(dǎo)率在3.0-3.8w/cmk之間，而硅的熱導(dǎo)率為1.5w/cmk，這意味著相同表面積的半導(dǎo)體芯片的熱阻會降低。
碳化硅的優(yōu)勢，其應(yīng)用范圍可以擴(kuò)展到200v以上。對于不同的應(yīng)用，碳化硅肖特基二極管具有以下優(yōu)點：等效電容引起的反向恢復(fù)電荷很小，因此反向峰值電流經(jīng)常出現(xiàn)在硅二極管中，幾乎不再存在；無論負(fù)載電流或溫度變化，反向充電引起的電流變化率di/dt低至零；工作結(jié)溫可高于200℃。
時科sic肖特基二極管
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sic肖特基二極管的應(yīng)用
時科新品肖特基可廣泛應(yīng)用于轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、逆變器、工業(yè)電源、安防電源、tv、醫(yī)療電源。利用具有獨特性能的碳化硅作為器件材料，能制造出接近理想功能特性的升壓二極管，并適合pfc應(yīng)用中的各種功率級別。sic肖特基二極管具有的無反向恢復(fù)電荷、反向特性與開關(guān)速度、溫度和正向電流無關(guān)的特性均能減少pfc應(yīng)用中的功率損耗。這對服務(wù)器和高端pc電源來說尤其重要，因為效率提高的要求變得越來越重要，特別是要滿足80plus等法規(guī)要求時。