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固態(tài)硬盤SSD和DDR,SSD硬盤讀寫速度和內(nèi)存比哪一個(gè)快啊大致都是多少

發(fā)布時(shí)間:2023-11-10
1,ssd硬盤讀寫速度和內(nèi)存比哪一個(gè)快啊大致都是多少2,ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別3,120g ssd和8g ddr4的作用說(shuō)得簡(jiǎn)潔易懂點(diǎn)4,固態(tài)硬盤是否是支持ddr2內(nèi)存的電腦5,固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1,ssd硬盤讀寫速度和內(nèi)存比哪一個(gè)快啊大致都是多少 可以肯定地說(shuō),ssd的讀寫速度遠(yuǎn)沒有內(nèi)存快?,F(xiàn)在最好的ssd硬盤讀寫大概500mb/s,而現(xiàn)在一般的ddr3代1333的速度讀寫在7000mb/s以上,不是一個(gè)數(shù)量級(jí)的??雌骄縢b的價(jià)格就知道誰(shuí)快了主控都不一樣的 沒法比 內(nèi)存肯定要快得多 ssd是專門針對(duì)大容量的主控存儲(chǔ) 內(nèi)存針對(duì)的是就一個(gè)字 快
2,ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別 固態(tài)硬盤是沒有轉(zhuǎn)速的,機(jī)械硬盤才有轉(zhuǎn)速這個(gè)慨念。正常情況下固態(tài)比機(jī)械硬盤運(yùn)行速度快,但是用固態(tài)硬盤時(shí)有進(jìn)行4k對(duì)齊,才能充分發(fā)揮固態(tài)硬盤的作用。ssd固態(tài)硬盤比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤的讀寫速度更快 建議購(gòu)買三星840evo呢不一樣,系統(tǒng)軟件安裝一般安裝在固態(tài)盤上。你用軟件測(cè)試了你的現(xiàn)在的硬盤速度能達(dá)到600嗎?測(cè)了看看你就知道需不需要換了。
3,120g ssd和8g ddr4的作用說(shuō)得簡(jiǎn)潔易懂點(diǎn) 首先必須了解,兩者不是一個(gè)東西,在電腦上起的作用不一樣,沒有可比性。120g ssd,指的是固態(tài)硬盤,容量120g。硬盤是電腦的外存,用于安裝操作系統(tǒng),存儲(chǔ)文件,對(duì)電腦運(yùn)行性能影響較小。8g ddr4,指的是內(nèi)存,容量8g。內(nèi)存是操作系統(tǒng)和程序運(yùn)行的場(chǎng)所,對(duì)電腦運(yùn)行性能影響較大。ssd相較于機(jī)械硬盤讀寫速度更快,但壽命短一點(diǎn)。8g ddr4速度高,容量大。體現(xiàn)在游戲就是載入過(guò)程更快,可同時(shí)運(yùn)行的進(jìn)程更多。4000左右的配置 干嘛不上英特爾處理器功耗 穩(wěn)定性都比 amd平臺(tái)好多了
4,固態(tài)硬盤是否是支持ddr2內(nèi)存的電腦 固態(tài)硬盤對(duì)這沒有甚么要求,對(duì)是不是sata3影響很大,如果是sata2,性能將會(huì)下降3分之1,對(duì)主板能否開啟ahcl有要求,如果主板沒有這項(xiàng)開啟功能,建議放棄固態(tài),由于性能比機(jī)械硬盤快不了多少,唯1有感覺的是4k速度快些而已與內(nèi)存無(wú)關(guān)支持但是性能低可以用,只不過(guò)性能比不上新主板,但相對(duì)原來(lái)的機(jī)械硬盤而言還是有明顯的性能提升。應(yīng)當(dāng)說(shuō)ddr2的主板支持ssd,只不過(guò)是sata2.0的接口只要你的主板上有sata接口都可以用 5,固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少 內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同,固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)芯片是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)(nvram),也就是沒有電源后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。nand型閃存為例,它的隨機(jī)存取速度慢,而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對(duì)區(qū)塊進(jìn)行擦除,使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4,這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴(yán)重。此外,nand的壽命也難以令人滿意,一般slc型nand可以承受10萬(wàn)次左右讀寫,而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram(dual date rate sdrsm,ddr sdram):又簡(jiǎn)稱ddr,由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl,而是支持2.5v的sstl2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系,制造成本比sdram略高一些,但仍要遠(yuǎn)小于rambus的價(jià)格,因?yàn)橹圃炱胀╯dram的設(shè)備只需稍作改進(jìn)就能進(jìn)行ddr內(nèi)存的生產(chǎn),而且它也不存在專利等方面的問(wèn)題,所以它代表著未來(lái)能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲(chǔ)速率的差別。ps:在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章,上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏,望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s,寫入速度在13000左右,現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s,寫入速度更低點(diǎn),也就200多吧。 只能用天差地別來(lái)形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來(lái)再用硬盤測(cè)試軟件測(cè),你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的,其實(shí)速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別,傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問(wèn)題的就是帶寬上有瓶頸, 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應(yīng)該就是沒有個(gè) 瓶頸所以有優(yōu)勢(shì),但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存, 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤,容量又小又貴d不要內(nèi)存算了! 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎?- -基本差不多d不要內(nèi)存算了! 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎?- -
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下一個(gè):硬盤主板連接線圖,硬盤與主板之間聯(lián)接的線是什么樣的幾根要有圖

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