用于硅晶片的全光學(xué)非接觸式厚度傳感器高動(dòng)態(tài)范圍,能夠測(cè)量混亂的表面能夠在濕蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量sit-200使用高速掃頻可調(diào)激光器(而不是寬帶光源)來(lái)探測(cè)被測(cè)晶片。這樣就可以對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)進(jìn)行更高功率的測(cè)量,從而實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍。即使在未拋光的晶片上,例如在濕蝕刻期間/之后,也可以進(jìn)行厚度測(cè)量。硅下面文章將為您具體講解下《優(yōu)勢(shì)供應(yīng)alnair硅晶圓厚度傳感器sit》等內(nèi)容,還請(qǐng)感興趣的繼續(xù)閱讀了解一下,謝謝!
用于硅晶片的全光學(xué)非接觸式厚度傳感器
高動(dòng)態(tài)范圍,能夠測(cè)量混亂的表面
能夠在濕蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量
sit-200使用高速掃頻可調(diào)激光器(而不是寬帶光源)來(lái)探測(cè)被測(cè)晶片。這樣就可以對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)進(jìn)行更高功率的測(cè)量,從而實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍。即使在未拋光的晶片上,例如在濕蝕刻期間/之后,也可以進(jìn)行厚度測(cè)量。硅晶圓厚度傳感器由精確調(diào)諧的波長(zhǎng)掃描激光源,聚焦傳感器和光接收器(pd)構(gòu)成。波長(zhǎng)掃描光聚焦在目標(biāo)上,并且在通過(guò)傳感器后,pd會(huì)檢測(cè)到從目標(biāo)表面反射回來(lái)的干涉圖樣。
產(chǎn)品參數(shù)
測(cè)量對(duì)象:硅片
可測(cè)厚度:10~500(n = 3.5)μm
光源:波長(zhǎng)掃描激光源
(1515~1585)nm
光輸出功率:0.6,激光等級(jí)1 mw
引導(dǎo)光源:紅色ld,激光等級(jí)1m
測(cè)量時(shí)間:min.20 ms
重復(fù)性:小于0.1(3σ)μm
監(jiān)控輸出:干擾信號(hào)(電氣)
pc接口:以太網(wǎng)
電源:ac 100-240(50/60 hz)v
尺寸(寬x高x深):364 x 147 x 391 mm
重量:9.0 kg
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