用于硅晶片的全光學(xué)非接觸式厚度傳感器高動(dòng)態(tài)范圍，能夠測(cè)量混亂的表面能夠在濕蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量sit-200使用高速掃頻可調(diào)激光器（而不是寬帶光源）來(lái)探測(cè)被測(cè)晶片。這樣就可以對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)進(jìn)行更高功率的測(cè)量，從而實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍。即使在未拋光的晶片上，例如在濕蝕刻期間/之后，也可以進(jìn)行厚度測(cè)量。硅下面文章將為您具體講解下《優(yōu)勢(shì)供應(yīng)alnair硅晶圓厚度傳感器sit》等內(nèi)容，還請(qǐng)感興趣的繼續(xù)閱讀了解一下，謝謝!
用于硅晶片的全光學(xué)非接觸式厚度傳感器
高動(dòng)態(tài)范圍，能夠測(cè)量混亂的表面
能夠在濕蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量
sit-200使用高速掃頻可調(diào)激光器（而不是寬帶光源）來(lái)探測(cè)被測(cè)晶片。這樣就可以對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)進(jìn)行更高功率的測(cè)量，從而實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍。即使在未拋光的晶片上，例如在濕蝕刻期間/之后，也可以進(jìn)行厚度測(cè)量。硅晶圓厚度傳感器由精確調(diào)諧的波長(zhǎng)掃描激光源，聚焦傳感器和光接收器（pd）構(gòu)成。波長(zhǎng)掃描光聚焦在目標(biāo)上，并且在通過(guò)傳感器后，pd會(huì)檢測(cè)到從目標(biāo)表面反射回來(lái)的干涉圖樣。
產(chǎn)品參數(shù)
測(cè)量對(duì)象：硅片
可測(cè)厚度：10~500（n = 3.5）μm
光源：波長(zhǎng)掃描激光源
（1515~1585）nm
光輸出功率：0.6，激光等級(jí)1 mw
引導(dǎo)光源：紅色ld，激光等級(jí)1m
測(cè)量時(shí)間：min.20 ms
重復(fù)性：小于0.1（3σ）μm
監(jiān)控輸出：干擾信號(hào)（電氣）
pc接口：以太網(wǎng)
電源：ac 100-240（50/60 hz）v
尺寸（寬x高x深）：364 x 147 x 391 mm
重量：9.0 kg
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