標準的三相功率級(power stage)被用來驅(qū)動一個三相無刷直流電機，如圖1所示。功率級產(chǎn)生一個電場，為了使電機很好地工作，這個電場必須保持與轉(zhuǎn)子磁場之間的角度接近90°。六步序列控制產(chǎn)生6個定子磁場向量，這些向量必須在一個指定的轉(zhuǎn)子位置下改變。霍爾效應傳感器掃描轉(zhuǎn)子的位置。為了向轉(zhuǎn)子提供6個步進電流，功率級利用6個可以按不同的特定序列切換的功率mosfet。下面解釋一個常用的切換模式，可提供6個步進電流。
mosfet q1、q3和q5高頻(hf)切換，q2、q4和q6低頻(lf)切換。當一個低頻mosfet處于開狀態(tài)，而且一個高頻mosfet 處于切換狀態(tài)時，就會產(chǎn)生一個功率級。
步驟1) 功率級同時給兩個相位供電，而對第三個相位未供電。假設供電相位為l1、l2，l3未供電。在這種情況下，mosfet q1和q2處于導通狀態(tài)，電流流經(jīng)q1、l1、l2和q4。
步驟2)mosfet q1關斷。因為電感不能突然中斷電流，它會產(chǎn)生額外電壓，直到體二極管d2被直接偏置，并允許續(xù)流電流流過。續(xù)流電流的路徑為d2、l1、l2和q4。
步驟3)q1打開，體二極管d2突然反偏置。q1上總的電流為供電電流(如步驟1)與二極管d2上的恢復電流之和。
顯示出其中的體-漏二極管。在步驟2，電流流入到體-漏二極管d2(見圖1)，該二極管被正向偏置，少數(shù)載流子注入到二極管的區(qū)和p區(qū)。
當mosfet q1導通時，二極管d2被反向偏置， n區(qū)的少數(shù)載流子進入p+體區(qū)，反之亦然。這種快速轉(zhuǎn)移導致大量的電流流經(jīng)二極管，從n-epi到p+區(qū)，即從漏極到源極。電感l(wèi)1對于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導通期間的開關損耗。圖4a描述了mosfet的導通過程。
為改善在這些特殊應用中體二極管的性能，研發(fā)人員開發(fā)出具有快速體二極管恢復特性mosfet。當二極管導通后被反向偏置，反向恢復峰值電流irrm較小。
結合一種簡單的逆變器電路圖分析pwm逆變器電路的工作原理
電阻r2和電容c1套集成電路內(nèi)部振蕩器的頻率。預設r1可用于振蕩器的頻率進行微調(diào)。14腳和11腳ic內(nèi)部驅(qū)動晶體管的發(fā)射極終端。的驅(qū)動晶體管(引腳13和12)的集電極終端連接在一起，并連接到8 v軌(7808輸出)。可在ic的引腳14和15兩個180度，淘汰50赫茲脈沖列車。
這些信號驅(qū)動器在隨后的晶體管階段。當14腳的信號為高電平，晶體管q2接通，就這反過來又使晶體管q4，q5，q6點從目前的+12 v電源(電池)連接流一個通過的上半部分(與標簽的標記)變壓器(t1)中，小學通過晶體管q4，q5和q6匯到地面。
因此誘導變壓器二次電壓(由于電磁感應)，這個電壓220v輸出波形的上半周期。在此期間，11腳低，其成功的階段將處于非活動狀態(tài)。當ic引腳11云高的第三季度結果q7的獲取和交換，q8和q9將被打開。從+12 v電源通過變壓器的初級下半部和匯到地面通過晶體管的q7，q8，q9，以及由此產(chǎn)生的電壓，在t2次級誘導有助于的下半部周期(標簽上標明)電流流220v輸出波形。
逆變器輸出(t2的輸出)挖掘點的標記為b，c，并提供給變壓器t2的主。在變壓器t2的下降這個高電壓的步驟，橋梁d5整流它和這個電壓(將逆變器的輸出電壓成正比)是提供的pin1通過奧迪r8，r9，r16和(該ic的內(nèi)部錯誤放大器的反相輸入)這個電壓與內(nèi)部參考電壓比較。
此誤差電壓成正比的輸出電壓所需的值和ic調(diào)節(jié)占空比的驅(qū)動信號(引腳14和12)為了使輸出電壓為所需的值的變化。r9的預設，可用于調(diào)節(jié)逆變器輸出電壓，因為它直接控制變頻器的輸出電壓誤差放大器部分的反饋量。
二極管d3和d4續(xù)流二極管，保護驅(qū)動級晶體管的開關變壓器(t2)初選時產(chǎn)生的電壓尖峰。r14和r15限制基地的第四季度和q7。r12和r13為第四季度和q7防止意外的開關on下拉電阻。c10和c11是繞過從變頻器的輸出噪聲。c8是一個濾波電容的穩(wěn)壓ic 7805。r11的限制限制了電流通過led指示燈d2的。